在我院副院长吴家刚教授的邀请下，澳大利亚新南威尔士大学的Nagarajan Valanoor教授于2018年6月26日至28日访问了皇冠登陆入口welcome电子陶瓷研究所，并于26日下午14:30-17:00在研究生院3区129室向学院师生开展了主题为“铁电体中的拓扑缺陷——从畴壁存储到新型应用”的学术讲座。本次讲座由吴家刚教授主持。

Nagarajan教授首先由铁电体中的缺陷引入讲座主题，聚焦铁电体畴壁的存储效应，向大家展示了一种特殊的铁电体畴壁的记忆功能，而非传统的畴结构的记忆效应。Nagarajan教授通过PPT向大家展示了一种可扩展到100nm尺寸以下的非易失性铁电畴壁存储器，通过畴壁的两种存在状态作为开关，这种器件可以在适当的电压下进行可持续读取，具有极高的可控性，同时又具有良好的耐久性和多级数据存储能力。上述研究推动了集成纳米级铁电畴壁存储器领域的进步。在讲座的后半部分，Nagarajan教授介绍了一种超薄铁电薄膜中的纳米级气泡畴，并给出了在PZT/ST/PZT三明治结构中观察到的气泡畴。通过压电力显微镜和透射电镜，在这种结构中可以观察到局部的偶极子与周围铁电矩阵的宏观极化效应相反，从而导致了局部的极化反转，使得气泡畴壁具有特殊的特征。Nagarajan教授时而严肃，时而幽默，引起了在座同学的共鸣。

讲座结束后，师生们积极提问，对讲座中的有趣现象进行了探讨。随后，吴家刚教授课题组的同学与Nagarajan教授进行了更深入的学术交流，向Nagarajan教授介绍了本课题组的最新研究成果。吕想博士研究生以铌酸钾钠基压电材料为主，介绍了课题组近年取得的学术成果，并与Nagarajan教授进行了深入讨论。殷杰博士研究生以钛酸铋钠基压电材料为主，介绍了课题组在该类材料的最新研究进展。Nagarajan教授与课题组师生热烈讨论，并针对目前存在的一些科研难题提供了建议。

学术交流环节结束后，吴家刚教授对Nagarajan Valanoor教授抽出时间开展高质量学术讲座再次表示衷心的感谢。本次讲座是一场精彩的学术盛宴，为同学们今后的科研工作提供了新的思路。